[发明专利]一种集成肖特基二极管的SiCMOSFET器件在审
| 申请号： | 201710045695.9 | 申请日： | 2017-01-22 |
| 公开（公告）号： | CN106784008A | 公开（公告）日： | 2017-05-31 |
| 发明（设计）人： | 倪炜江 | 申请（专利权）人： | 北京世纪金光半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06 |
| 代理公司： | 北京中创阳光知识产权代理有限责任公司11003 | 代理人： | 张宇锋 |
| 地址： | 100176 北京市大*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种集成肖特基二极管的SiC MOSFET器件，其有源区的原胞结构从下至上依次为漏极、衬底、缓冲层、漂移层、左右对称设置的两个p阱区、设置在p阱区上方相邻的n++区和p++区、从左至右依次对称设置的源极、栅极、肖特基金属、栅极和源极；源极设置在n++区和p++区上方；栅极完全覆盖在p阱区的表面部分，且栅极两端分别与其两侧的n++区和JFET区重叠；肖特基金属设置在JFET区上方。本申请提出一种集成反并联肖特基二极管的SiC MOSFET器件，其中集成的肖特基二极管在JFET区，与栅极区相邻，有效的利用了JFET区的面积，具有更高的原胞集成度和密度。同时，相比于常规的MOSFET，由于栅电容的面积减小，因此可以有效降低栅电容和输入输出电容，改进器件的开关性能。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 集成 肖特基 二极管 sicmosfet 器件 | ||
【主权项】：
一种集成肖特基二极管的SiC MOSFET器件，其特征在于，所述SiC MOSFET器件有源区的原胞结构从下至上依次为漏极、衬底、缓冲层、漂移层、左右对称设置的两个p阱区、设置在所述p阱区上方相邻的n++区和p++区、从左至右依次对称设置的源极、栅极、肖特基金属、栅极和源极；其中，所述源极设置在所述n++区和p++区上方；所述栅极完全覆盖在所述p阱区的表面部分，且栅极两端分别与其两侧的n++区和JFET区重叠；所述肖特基金属设置在所述JFET区上方。
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