[发明专利]一种硅表面金属化方法在审
| 申请号： | 201710046807.2 | 申请日： | 2017-01-22 |
| 公开（公告）号： | CN106653630A | 公开（公告）日： | 2017-05-10 |
| 发明（设计）人： | 孙旭东;惠宇;毕孝国;刘旭东 | 申请（专利权）人： | 大连大学 |
| 主分类号： | H01L21/60 | 分类号： | H01L21/60 |
| 代理公司： | 大连智高专利事务所(特殊普通合伙)21235 | 代理人： | 毕进 |
| 地址： | 116622 辽宁省*** | 国省代码： | 辽宁;21 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及一种硅表面金属化方法，在硅基板上均匀涂覆金属粉末，然后激光扫描烧结，硅基板表面完全金属化，形成硅覆金属板。本发明的硅基板与金属导电层之间不含有玻璃相和陶瓷相，从而保证了硅基板的导热性；同时，本发明为局部加热，因此工件整体其他部分处于常温状态，不影响破坏其他部分的功能；工艺简单，成本低。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 表面 金属化 方法 | ||
【主权项】：
一种硅表面金属化方法，其特征在于，具体包括：通过激光扫描，在硅基板表面完全覆盖上激光烧结的金属导电层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
