[发明专利]半导体器件

摘要

本申请涉及半导体器件。实现了半导体器件的性能的提高。半导体器件包括像素，像素包括在其中形成传输晶体管和光电二极管的第一有源区域和用于提供接地电势的第二有源区域。在第二有源区域中的p型半导体区域上方设置用于提供接地电势的插塞。在用于第一有源区域中形成的传输晶体管的漏极区域的n型半导体区域中引入吸附元素。然而，在第二有源区域中的p型半导体区域中没有引入吸附元素。

主权项

一种半导体器件，包括：像素，所述像素包括：第一有源区域和第二有源区域，在平面图中均形成在半导体衬底的第一主表面中并且被隔离区域包围；光电二极管，形成在所述第一有源区域中；以及传输晶体管，形成在所述第一有源区域中以传输由所述光电二极管产生的电荷，其中，在所述半导体衬底中，p型半导体区域被形成以便在平面图中包括所述第一有源区域和所述第二有源区域，其中，在所述第二有源区域中的所述p型半导体区域上方，用于提供接地电势的接触部分被形成并且被电耦合到所述p型半导体区域，其中，所述光电二极管具有第一n型半导体区域，所述第一n型半导体区域形成在所述第一有源区域中的所述p型半导体区域中，其中，所述传输晶体管具有第二n型半导体区域，第二n型半导体区域形成在所述第一有源区域中的所述p型半导体区域中，以用作所述传输晶体管的漏极区域，其中，所述第一n型半导体区域还用作所述传输晶体管的源极区域，以及其中，在所述第二n型半导体区域中引入吸附元素，而在所述第二有源区域中的所述p型半导体区域中没有引入所述吸附元素。