[发明专利]阵列基板的制造方法有效
| 申请号： | 201710049282.8 | 申请日： | 2017-01-23 |
| 公开（公告）号： | CN106784408B | 公开（公告）日： | 2018-10-12 |
| 发明（设计）人： | 王卫卫;王会;何麟 | 申请（专利权）人： | 昆山国显光电有限公司 |
| 主分类号： | H01L51/56 | 分类号： | H01L51/56;H01L51/00 |
| 代理公司： | 上海波拓知识产权代理有限公司 31264 | 代理人： | 孙燕娟 |
| 地址： | 215300 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 一种阵列基板的制造方法，包括：利用现有的加工方法在一衬底基板上形成阳极和位于阳极上的有机膜层；由加工出的衬底基板上获取各像素单元内有机膜层的膜厚均一区域的宽度及膜厚均一区域相对于阳极的偏移量；根据得到的各个像素单元内有机膜层膜厚均一区域的宽度和膜厚均一区域相对于阳极的偏移量，调整加工阳极的遮光罩上的开口位置及开口宽度，得到改进后的加工阳极膜层的遮光罩，使得利用该遮光罩加工出的阳极区域的中心与有机膜层膜厚均一区域的中心重合，从而避免了利用现有方法所造成的有机发光层的膜厚均一区域偏离阳极区域的问题。 | ||
| 搜索关键词： | 阵列 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种阵列基板的制造方法，其特征在于，该方法包括如下步骤：利用现有的加工方法在一衬底基板上形成阳极和位于阳极上的有机膜层；由加工出的衬底基板上获取各像素单元内有机膜层的膜厚均一区域的宽度及膜厚均一区域相对于阳极的偏移量；根据得到的各个像素单元内有机膜层膜厚均一区域的宽度和膜厚均一区域相对于阳极的偏移量，调整加工阳极的遮光罩上的开口位置及开口宽度，得到改进后的加工阳极膜层的遮光罩，使得利用该遮光罩加工出的阳极区域的中心与有机膜层膜厚均一区域的中心重合。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件；专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射；专门适用于将这些辐射能转换为电能，或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的，如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择
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