[发明专利]一种扩膜机及利用该扩膜机进行激光切割的工艺在审
申请号: | 201710049521.X | 申请日: | 2017-01-23 |
公开(公告)号: | CN106952845A | 公开(公告)日: | 2017-07-14 |
发明(设计)人: | 奂微微;陈浪 | 申请(专利权)人: | 苏州五方光电材料有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;H01L33/00;B23K26/38 |
代理公司: | 南京纵横知识产权代理有限公司32224 | 代理人: | 董建林 |
地址: | 215222 江苏*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | 本发明公开了一种扩膜机和利用扩膜机进行激光切割的工艺,扩膜机包括工作平台,工作平台上具有能够相对所述工作平台升降的扩膜基座;盖体,盖体相对所述扩膜基座开合设置,盖体包括盖本体和子盖体,盖本体具有相对所述扩膜基座开设的通孔,子盖体相对所述扩膜基座设置,且子盖体能穿过所述通孔与所述扩膜基座接触;子环和母环,子环设于扩膜基座上,母环设于子盖体上,且子环和母环接触时能够卡合在一起。切割时先利用贴膜将中片形成片材组件,然后依次切割、扩膜。本发明扩膜机扩膜效率高,扩膜质量好,使用方便,结构简单。本发明的切割工艺步骤合理,现对现有技术而言,切割效率和切割质量均有所提高。 | ||
搜索关键词: | 一种 扩膜机 利用 进行 激光 切割 工艺 | ||
【主权项】:
一种扩膜机,其特征在于,包括:工作平台,所述工作平台上具有能够相对所述工作平台升降的扩膜基座;盖体,所述盖体相对所述扩膜基座开合设置,所述盖体包括盖本体和子盖体,所述盖本体具有相对所述扩膜基座开设的通孔,子盖体相对所述扩膜基座设置,且子盖体能穿过所述通孔与所述扩膜基座接触;子环和母环,子环设于扩膜基座上,母环设于子盖体上,且子环和母环接触时能够卡合在一起。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造