[发明专利]适用于单片式外延炉的分离式基座组件在审
申请号: | 201710056500.0 | 申请日: | 2017-01-25 |
公开(公告)号: | CN108346613A | 公开(公告)日: | 2018-07-31 |
发明(设计)人: | 季文明;刘源 | 申请(专利权)人: | 上海新昇半导体科技有限公司 |
主分类号: | H01L21/687 | 分类号: | H01L21/687 |
代理公司: | 上海光华专利事务所(普通合伙) 31219 | 代理人: | 余明伟 |
地址: | 201306 上海市浦东*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 本发明提供一种适用于单片式外延炉的分离式基座组件,包括分离式基座,所述分离式基座包括:第一部分,第一部分包括主体部及挖空部,挖空部沿主体部的厚度方向贯穿主体部;第二部分,第二部分包括平面部,平面部的形状及尺寸与挖空部的形状及尺寸相同,第二部分与第一部分配合使用,第二部分与第一部分配合时,平面部嵌入挖空部内,且平面部的上表面与挖空部外侧邻接的主体部的上表面相平齐。通过将基座设计成分离式的两部分,使得组合两部分后的基座无需通孔或顶针,就能实现现有传片设备的要求;同时,组合后的基座呈现出完整的圆盘状,完整的圆盘状将有利于基片温度的均一,提高外延后基片的正表明纳米形貌,同时减小外延后基片的背面沉积。 | ||
搜索关键词: | 挖空部 分离式基座 平面部 主体部 单片式 上表面 外延炉 圆盘状 顶针 基座设计 纳米形貌 邻接 沉积 减小 均一 平齐 通孔 嵌入 背面 贯穿 配合 | ||
【主权项】:
1.一种适用于单片式外延炉的分离式基座组件,其特征在于,所述分离式基座组件包括分离式基座,所述分离式基座包括:第一部分,所述第一部分包括主体部及挖空部,所述挖空部沿所述主体部的厚度方向贯穿所述主体部;第二部分,所述第二部分包括平面部,所述平面部的形状及尺寸与所述挖空部的形状及尺寸相同,所述第二部分与所述第一部分配合使用,所述第二部分与所述第一部分配合时,所述平面部嵌入所述挖空部内,且所述平面部的上表面与所述挖空部外侧邻接的所述主体部的上表面相平齐。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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