[发明专利]包括垂直存储器装置的集成电路装置及其制造方法有效
申请号: | 201710057388.2 | 申请日: | 2017-01-26 |
公开(公告)号: | CN107017258B | 公开(公告)日: | 2020-12-08 |
发明(设计)人: | 金光洙 | 申请(专利权)人: | 三星电子株式会社 |
主分类号: | H01L27/11519 | 分类号: | H01L27/11519;H01L27/11524;H01L27/11556;H01L27/11565;H01L27/1157;H01L27/11582;H01L27/11507;H01L27/11514;H01L27/1159;H01L27/11597;H01L27/22;H01L27/24 |
代理公司: | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人: | 刘灿强;尹淑梅 |
地址: | 韩国京畿*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 提供了一种包括垂直存储器装置的集成电路(IC)装置及其制造方法,所述IC装置包括:沟道区,在基底上延伸以穿透多条字线;位线接触焊盘,接触沟道区的上表面;位线,接触位线接触焊盘,并且沿与基底的主表面平行的方向在位线接触焊盘上延伸;共源线,部分地填充字线切割区,并且具有比沟道区的高度低的高度;共源通路接触件,在字线切割区中接触共源线的上表面。 | ||
搜索关键词: | 包括 垂直 存储器 装置 集成电路 及其 制造 方法 | ||
【主权项】:
一种集成电路装置,所述集成电路装置包括:多条字线,与基底的主表面平行地在基底上延伸,并且在垂直于所述主表面的第一方向上彼此分离;沟道区,在基底上在第一区域中延伸通过所述多条字线;位线接触焊盘,位于沟道区上,并且接触沟道区的上表面;位线,在第一区域中接触位线接触焊盘,并且沿与基底的主表面平行的第二方向在位线接触焊盘上延伸;共源线,部分地填充字线切割区,所述字线切割区在所述多条字线的一侧上沿第三方向延伸,所述第三方向与基底的主表面方向平行并且与第二方向相交,所述共源线具有比沟道区的高度低的高度;共源通路接触件,在字线切割区中接触共源线的上表面并且从共源线的上表面沿远离基底的方向延伸。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的