[发明专利]制作双镶嵌结构的方法在审
| 申请号： | 201710058124.9 | 申请日： | 2017-01-23 |
| 公开（公告）号： | CN108346617A | 公开（公告）日： | 2018-07-31 |
| 发明（设计）人： | 蒋欣妤;张峰溢;李甫哲 | 申请（专利权）人： | 联华电子股份有限公司;福建省晋华集成电路有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 陈小雯 |
| 地址： | 中国台湾*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明公开一种制作双镶嵌结构的方法，其步骤包含形成一导孔穿过介电层、在该介电层上形成一牺牲层填满该导孔、以光致抗蚀剂进行一蚀刻制作工艺以在该介电层中形成一沟槽，其中该蚀刻制作工艺对于该介电层以及该牺牲层的蚀刻选择比为1:1，而该沟槽与该导孔共同构成一双镶嵌凹槽。 | ||
| 搜索关键词： | 介电层 导孔 蚀刻制作工艺 双镶嵌结构 牺牲层 光致抗蚀剂 蚀刻选择比 双镶嵌 填满 制作 穿过 | ||
【主权项】：
1.一种制作双镶嵌结构的方法，包含：提供一基底，该基底上具有一介电层；形成一导孔穿过该介电层；在该基底上形成一牺牲层填满该导孔；在该牺牲层上形成一光致抗蚀剂，该光致抗蚀剂具有一沟槽图案，该沟槽图案与该导孔重叠；以及经由该光致抗蚀剂进行一蚀刻制作工艺以在该介电层中形成一沟槽，其中该蚀刻制作工艺对于该介电层以及该牺牲层的蚀刻选择比为1:1，而该沟槽与该导孔共同构成一双镶嵌凹槽。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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