[发明专利]半导体装置有效
| 申请号： | 201710058325.9 | 申请日： | 2017-01-23 |
| 公开（公告）号： | CN107086217B | 公开（公告）日： | 2023-05-16 |
| 发明（设计）人： | 内藤达也 | 申请（专利权）人： | 富士电机株式会社 |
| 主分类号： | H01L27/02 | 分类号： | H01L27/02 |
| 代理公司： | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人： | 孙昌浩;李盛泉 |
| 地址： | 日本神奈*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明提供具有RC‑IGBT结构且具备FWD(Free Wheel Diode：续流二极管)区域和IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor：绝缘栅双极型晶体管)区域的半导体装置。所述半导体装置具备：半导体基板；晶体管部，其形成于半导体基板；二极管部，其形成于半导体基板，且在半导体基板的正面侧具有寿命控制体；以及栅极流道，其设置在晶体管部与二极管部之间，且与晶体管部的栅极电连接。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 | ||
【主权项】：
一种半导体装置，其特征在于，具备：半导体基板；晶体管部，其形成于所述半导体基板；二极管部，其形成于所述半导体基板，且在所述半导体基板的正面侧具有寿命控制体；以及栅极流道，其设置在所述晶体管部与所述二极管部之间，且与所述晶体管部的栅极电连接。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
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