[发明专利]非易失性存储器件的编程方法有效

专利信息
申请号: 201710058923.6 申请日: 2011-12-30
公开(公告)号: CN107093453B 公开(公告)日: 2020-08-18
发明(设计)人: 张俊锡;郭东勋 申请(专利权)人: 三星电子株式会社
主分类号: G11C11/56 分类号: G11C11/56;G11C16/10;G11C16/34
代理公司: 北京市柳沈律师事务所 11105 代理人: 邵亚丽;贾洪菠
地址: 韩国*** 国省代码: 暂无信息
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摘要: 公开了一种非易失性存储器件的编程方法,该非易失性存储器件包括耦合到字线的多个多电平单元,该方法包括:执行对所述多个多电平单元中的多比特数据的最低有效位LSB进行编程的LSB编程操作;以及执行对所述多个多电平单元中的多比特数据的最高有效位MSB进行编程的MSB编程操作,MSB编程操作包括MSB预编程操作和MSB主编程操作,MSB预编程操作对所述多个多电平单元当中的、待被编程到多个目标编程状态当中的最高目标编程状态的第一多电平单元进行MSB预编程,MSB主编程操作将所述多个多电平单元编程到与多比特数据相对应的所述多个目标编程状态。
搜索关键词: 非易失性存储器 编程 方法
【主权项】:
一种非易失性存储器件的编程方法,该非易失性存储器件包括耦合到字线的多个多电平单元,该方法包括:执行对所述多个多电平单元中的多比特数据的最低有效位LSB进行编程的LSB编程操作;以及执行对所述多个多电平单元中的多比特数据的最高有效位MSB进行编程的MSB编程操作,MSB编程操作包括MSB预编程操作和MSB主编程操作,MSB预编程操作对所述多个多电平单元当中的、待被编程到多个目标编程状态当中的最高目标编程状态的第一多电平单元进行预编程,MSB主编程操作将所述多个多电平单元编程到与多比特数据相对应的所述多个目标编程状态,而且MSB预编程操作包括:向耦合到第一多电平单元的第一位线施加编程电压;向耦合到所述多个多电平单元当中的、不同于第一多电平单元的第二多电平单元的第二位线施加禁止电压,第二多电平单元包括所述多个多电平单元当中的、待被编程到所述多个目标编程状态中邻近最高目标编程状态的目标编程状态的多电平单元,而且禁止电压高于编程电压;以及向字线施加单脉冲,以将第一多电平单元预编程到与最高目标编程状态相对应的中间编程状态,其中,不执行中间编程状态的验证操作。
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