[发明专利]利福霉素S晶体及其制备方法

摘要

本发明属于化学医药领域，具体涉及利福霉素S晶体及其制备方法。本发明要解决的技术问题是无定型的利福霉素S的纯度较低，采用其为原料制备下游产品的成本高，并且还会产生大量有机废弃物，会带来巨大的环保压力。本发明解决上述技术问题的方案是提供一种现有技术未见报道的具有结晶形态的利福霉素S晶体。本发明还提供了上述利福霉素S晶体的制备方法。采用本发明提供的高纯度利福霉素S为原料制备的下游产品，如利福昔明等，不需要经过进一步纯化就能符合各种药典的质量要求。

主权项

1.利福霉素S晶体的制备方法，包括以下步骤：a、将利福霉素S溶解于四氢呋喃中；b、加入酸性氧化铝搅拌20～50分钟，过滤除去氧化铝，得到四氢呋喃滤液；c、向上述四氢呋喃滤液中加入环己烷，过滤收集固体，干燥，得到利福霉素S晶体；所述利福霉素S晶体，在以2θ表示的X‑射线粉末衍射谱图上，在5.47±0.20°、6.43±0.20°、7.28±0.20°、7.96±0.20°、8.94±0.20°、10.39±0.20°、13.85±0.20°、14.46±0.20°、15.82±0.20°、16.58±0.20°、17.24±0.20°、17.89±0.20°、18.02±0.20°、18.61±0.20°、19.50±0.20°、20.99±0.20°、22.02±0.20°、23.28±0.20°、24.05±0.20°、25.41±0.20°、26.38±0.20°、28.18±0.20°、28.87±0.20°、28.94±0.20°具有特征衍射峰。