[发明专利]一种薄膜晶体管、阵列基板及薄膜晶体管的制作方法在审
| 申请号： | 201710060034.3 | 申请日： | 2017-01-24 |
| 公开（公告）号： | CN106653862A | 公开（公告）日： | 2017-05-10 |
| 发明（设计）人： | 秦心宇 | 申请（专利权）人： | 京东方科技集团股份有限公司;成都京东方光电科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L21/336;H01L27/12;H01L21/265 |
| 代理公司： | 北京同达信恒知识产权代理有限公司11291 | 代理人： | 黄志华 |
| 地址： | 100015 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本申请实施例提供一种薄膜晶体管、阵列基板及薄膜晶体管的制作方法，以降低薄膜晶体管由于有源层的缩短而产生短沟道效应的几率，提高薄膜晶体管的性能。所述薄膜晶体管，包括设置在衬底基板上方的有源层，设置在所述有源层一侧的源极以及设置在所述有源层另一侧的漏极，设置在所述有源层上方或下方的栅极，以及设置在所述有源层与所述栅极之间的栅极绝缘层；其中，所述源极与所述有源层之间还设置有连接所述源极与所述有源层的第一反型电极，所述漏极与所述有源层之间还设置有连接所述漏极与所述有源层的第二反型电极，所述第一反型电极与所述源极的导电类型相反，所述第二反型电极的导电类型与所述漏极的导电类型相反。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 薄膜晶体管 阵列 制作方法 | ||
【主权项】：
一种薄膜晶体管，其特征在于，包括：设置在衬底基板上方的有源层，设置在所述有源层一侧的源极以及设置在所述有源层另一侧的漏极，设置在所述有源层上方或下方的栅极，以及设置在所述有源层与所述栅极之间的栅极绝缘层；其中，所述源极与所述有源层之间还设置有连接所述源极与所述有源层的第一反型电极，所述漏极与所述有源层之间还设置有连接所述漏极与所述有源层的第二反型电极，所述第一反型电极与所述源极的导电类型相反，所述第二反型电极的导电类型与所述漏极的导电类型相反。
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