[发明专利]半导体存储装置有效

专利信息
申请号: 201710060053.6 申请日: 2017-01-24
公开(公告)号: CN108010552B 公开(公告)日: 2020-08-04
发明(设计)人: 仓盛文章 申请(专利权)人: 力晶积成电子制造股份有限公司
主分类号: G11C11/4091 分类号: G11C11/4091;G11C7/10
代理公司: 北京市柳沈律师事务所 11105 代理人: 王珊珊
地址: 中国台湾新竹*** 国省代码: 台湾;71
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摘要: 发明的半导体存储装置包括:感测放大器,连接于位线,从存储器元件读出数据;第1开关元件,连接于第1电源电压与感测放大器的第1电源中间节点之间,在感测放大器驱动时导通;第2开关元件,连接于第2电源电压与感测放大器的第2电源中间节点之间,在感测放大器驱动时导通;以及均衡器电路,使第1及第2电源中间节点均衡于均衡电压,该均衡电压是第1电源中间节点的最大值与第2电源中间节点的最小值之间的半值电平,该半导体存储装置包括连接于位线且基于测试信号将所述位线的电压控制在规定的电压值。
搜索关键词: 半导体 存储 装置
【主权项】:
1.一种半导体存储装置,包括:感测放大器,连接于位线,从存储器元件读出数据;第一开关元件,连接于规定的第一电源电压与所述感测放大器的第一电源中间节点之间,在所述感测放大器驱动时导通;第二开关元件,连接于规定的第二电源电压与所述感测放大器的第二电源中间节点之间,在所述感测放大器驱动时导通;以及均衡器电路,基于均衡信号来使所述第一电源中间节点及第二电源中间节点均衡于均衡电压,所述均衡电压是所述第一电源中间节点的最大值与所述第二电源中间节点的最小值之间的半值电平,所述半导体存储装置的特征在于包括:控制电路,连接于所述位线,且基于测试信号将所述位线的电压控制在规定的电压值。
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