[发明专利]半导体存储器装置及其操作方法在审
| 申请号： | 201710060291.7 | 申请日： | 2017-01-24 |
| 公开（公告）号： | CN107665719A | 公开（公告）日： | 2018-02-06 |
| 发明（设计）人： | 徐智贤;权殷美;郑圣蓉 | 申请（专利权）人： | 爱思开海力士有限公司 |
| 主分类号： | G11C7/10 | 分类号： | G11C7/10;G11C8/12 |
| 代理公司： | 北京路浩知识产权代理有限公司11002 | 代理人： | 赵赫,王朋飞 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明公开一种半导体存储器装置，其包括存储器单元阵列，其包括多个页面；外围电路，其将包括在多个页面中的选择的页面中的存储器单元编程为多个编程状态；以及控制逻辑，其控制外围电路以执行编程操作，其中控制逻辑控制外围电路，使得在对多个编程状态中的具有低阈值电压分布的第一设置编程状态的编程操作期间，施加到与选择的页面相邻的页面的第一可变通过电压不同于施加到剩余未选择的页面的通过电压。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 存储器 装置 及其 操作方法 | ||
【主权项】：
一种半导体存储器装置，其包括：存储器单元阵列，其包括多个页面；外围电路，其适于对包括在所述多个页面的选择的页面中的存储器单元执行编程操作，使得所述存储器单元具有多个编程状态；以及控制逻辑，其适于控制所述外围电路以执行所述编程操作，其中，在对所述多个编程状态中的具有低阈值电压分布的第一设置编程状态的编程操作期间，所述控制逻辑控制所述外围电路以将第一可变通过电压施加至与所述选择的页面相邻的页面，其中所述第一可变通过电压不同于施加至剩余未选择的页面的通过电压。
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