[发明专利]半导体元件及其制造方法

摘要

本发明实施例提供一种制造半导体元件的方法，形成第一鳍状场效晶体管包括第一鳍结构，第一栅极电极结构位于第一鳍结构上，及第一源极/漏极区域。形成第二鳍状场效晶体管包括第二鳍结构，第二栅极电极结构位于第二鳍结构上，及第二源极/漏极区域。第一磊晶层形成于第一鳍结构之上的第一源极/漏极区域之中，第二磊晶层形成于第二鳍结构之上的第二源极/漏极区域之中。第一鳍结构的宽度小于第二鳍结构的宽度。

主权项

一种半导体元件，包括：一第一鳍状场效晶体管，包括：一第一鳍结构、一第一栅极电极结构位于部分的该第一鳍结构之上、及一第一源极/漏极区域，该第一鳍结构往一第一方向延伸，且该第一栅极电极结构往与该第一方向交叉的一第二方向延伸；及一第二鳍状场效晶体管，包括：一第二鳍结构、一第二栅极电极结构位于部分的该第二鳍结构之上、及一第二源极/漏极区域，该第二鳍结构往该第一方向延伸，且该第二栅极电极结构往该第二方向延伸，其中：一第一磊晶层，形成于该第一鳍结构之上的该第一源极/漏极区域中，一第二磊晶层，形成于该第二鳍结构之上的该第二源极/漏极区域中，及该第一鳍结构于该第二方向的宽度小于该第二鳍结构于该第二方向的宽度。