[发明专利]半导体装置

摘要

根据一个实施方式，半导体装置具备第1导电型的基板、设于基板上方的第1电极、设于基板上方的第2电极、设于基板与第1电极之间并电连接于第1电极的第1导电型的第1半导体区域、设于基板与第2电极之间的第2导电型的第2半导体区域、设于第1半导体区域与第2半导体区域之间以及基板与第2电极之间并电连接于第2电极的第2导电型的第3半导体区域、设于第2半导体区域与第2电极之间并电连接于第2电极的第1导电型的第4半导体区域、设于基板与第2半导体区域之间且第2导电型杂质浓度高于第2半导体区域以及第3半导体区域的第2导电型的第5半导体区域、以及设于第2半导体区域与第3半导体区域之间的第1导电型的第6半导体区域。

主权项

一种半导体装置，其特征在于，具备：第1导电型的基板；第1电极，设于上述基板上方；第2电极，设于上述基板上方；第1导电型的第1半导体区域，设于上述基板与上述第1电极之间，与上述第1电极电连接；第2导电型的第2半导体区域，设于上述基板与上述第2电极之间；第2导电型的第3半导体区域，设于上述第1半导体区域与上述第2半导体区域之间、以及上述基板与上述第2电极之间，与上述第2电极电连接；第1导电型的第4半导体区域，设于上述第2半导体区域与上述第2电极之间，与上述第2电极电连接；第2导电型的第5半导体区域，设于上述基板与上述第2半导体区域之间，第2导电型杂质浓度高于上述第2半导体区域以及上述第3半导体区域；以及第1导电型的第6半导体区域，设于上述第2半导体区域与上述第3半导体区域之间。