[发明专利]半导体制程方法

摘要

本发明公开了一种用以形成半导体结构及存储器单元的半导体制程方法，包括于基底布植第一深井区及第二深井区；于该第一深井区设置一组第一隔离区、一组第一井区及一组第三井区，以形成一组第一通道区及一组第四通道区，及于该第二深井区设置一组第二隔离区及第二井区，以形成第二通道区及第三通道区；使用第一光罩以使光阻遮盖该组第一通道区及该第二通道区，露出该组第四通道区的至少一第四通道区及该第三通道区；及执行屬於第一型半导体的掺杂以同步提升露出的该至少一第四通道区及该第三通道区的掺杂浓度。

主权项

1.一种半导体制程方法，其特征在于，所述半导体制程方法用以形成半导体结构及存储器单元，所述半导体制程方法包括：/n在基底上布植第一深井区及第二深井区，其中所述第一深井区属于所述半导体结构，且所述第二深井区属于所述存储器单元；/n在所述第一深井区设置第一组隔离区，及在所述第二深井区设置第二组隔离区；/n同步在所述第一深井区对应于所述第一组隔离区形成的第一组间隙，布植一组第一井区，从而形成一组第一通道区，及在所述第二深井区对应于所述第二组隔离区形成的第二组间隙布植第二井区，从而形成第二通道区及第三通道区；/n在所述第一深井区对应于所述第一组隔离区形成的第二组间隙，布植一组第三井区，从而形成一组第四通道区；/n使用第一光罩以使光阻遮盖所述组第一通道区、及所述第二通道区，露出所述组第四通道区的至少一第四通道区及所述第三通道区；及/n执行属于第一型半导体的掺杂以同步提升露出的所述至少一第四通道区及所述第三通道区的掺杂浓度；/n其中所述基底及所述组第三井区属于所述第一型半导体，所述第一深井区、所述第二深井区、所述组第一井区及所述第二井区属于第二型半导体。/n