[发明专利]一种伪器件辅助灵敏放大器电路

摘要

本发明公开了一种伪器件辅助灵敏放大器电路，其包括第一反相器、第二反相器、第三反相器、第一PMOS晶体管、第二PMOS晶体管和第一NMOS晶体管，所述第一反相器的输出端连接到第二反相器的输入端，所述第二反相器的输出端连接到第一反相器的输入端，还包括伪器件第二NMOS晶体管和第三NMOS晶体管，所述第二NMOS晶体管的源极和漏极均连接到第一反相器的输出端，所述第三NMOS晶体管的源极和漏极均连接到第二反相器的输出端，所述第二NMOS晶体管和第三NMOS晶体管的栅极均连接到第三反相器的输入端。本发明有效地改进传统灵敏放大器由于电容耦合减少初始压差的影响，提升灵敏放大器的良率和速度，同时不影响原电路版图的面积。

主权项

1.一种伪器件辅助灵敏放大器电路，其包括第一反相器、第二反相器、第三反相器、第一PMOS晶体管、第二PMOS晶体管和第一NMOS晶体管，所述第一反相器的输出端连接到第二反相器的输入端，所述第二反相器的输出端连接到第一反相器的输入端，所述第一PMOS晶体管的漏极连接到第一位线，所述第一PMOS晶体管的源极分别连接到第一反相器的输出端和第二反相器的输入端，所述第二PMOS晶体管的漏极连接到第二位线，所述第二PMOS晶体管的源极分别连接到第一反相器的输入端和第二反相器的输出端，所述第一NMOS晶体管的源极分别连接到第一反相器的接地端和第二反相器的接地端，所述第一NMOS晶体管的漏极接地，所述第一NMOS晶体管的栅极分别连接到第三反相器的输出端、第一PMOS晶体管的栅极和第二PMOS晶体管的栅极，其特征在于：还包括伪器件第二NMOS晶体管和第三NMOS晶体管，所述第二NMOS晶体管的源极和漏极均连接到第一反相器的输出端，所述第三NMOS晶体管的源极和漏极均连接到第二反相器的输出端，所述第二NMOS晶体管和第三NMOS晶体管的栅极均连接到第三反相器的输入端。