[发明专利]一种DD3R分子筛膜的高合格率合成方法

摘要

本发明公开了一种DD3R分子筛膜的高合格率合成方法，通过将sigma‑1分子筛与无机颗粒混合制备载体，并进一步通过二次生长法在载体上晶化DD3R分子筛层，继而采用分级焙烧的方法，最终制备成DD3R分子筛膜层，采用该方法制备的分子筛膜不容易产生缺陷，合格率高。

主权项

一种DD3R分子筛膜的高合格率合成方法，其特征在于该合成方法包括以下步骤：（1） 将无机颗粒与sigma‑1分子筛混合后压制并煅烧成载体，其中无机颗粒和sigma‑1分子筛晶体的质量为1:20‑20:1，sigma‑1分子筛的粒径为500‑1000nm，其中所述的无机颗粒为氧化铝、氧化锆、氧化硅、活性炭；（2） 在氧气氛围中加热载体2‑6h，加热温度为200‑400℃，并继续在湿度20%‑40%环境中保存6‑12h；（3）当载体选自片式、管式、多通道式时，将载体相对于涂覆晶种的另一面做物理性防水层以使其在后续水热合成中与合成液不接触，当载体选自中空纤维式时，将载体的两端进行物理性密封；（4）将晶种分散在溶剂中制成晶种浆液，并添加1‑5%的水玻璃后混合均匀；（5）将载体的一面涂覆晶种，干燥备用；（6）制备含有1‑金刚烷胺、硅源和水混合而成的铸膜液；（7）将载体置于铸膜液中水热合成分子筛膜；（8）将合成好的分子筛膜在高温下焙烧以脱除1‑金刚烷胺。