[发明专利]等离子体蚀刻的方法

摘要

本发明公开了一种等离子体蚀刻的方法以及包括该方法的制造半导体器件的方法。等离子体蚀刻的方法包括：将包括蚀刻对象的基板装载到腔室中的第一电极上，该腔室包括被布置为彼此面对的第一电极和第二电极；以及蚀刻该蚀刻对象。蚀刻该蚀刻对象包括将多个RF能施加到第一电极和第二电极中的一个。该多个RF能可以包括具有在从约40MHz至约300MHz的范围内的第一频率的第一RF能、具有在从约100kHz至约10MHz的范围内的第二频率的第二RF能、以及具有在从约10kHz至约5MHz的范围内的第三频率的第三RF能。

主权项

一种等离子体蚀刻的方法，所述方法包括：将基板装载到腔室中的第一电极上，所述基板包括蚀刻对象，所述腔室包括被布置为彼此面对的所述第一电极和第二电极；以及蚀刻所述蚀刻对象，蚀刻所述蚀刻对象包括向所述第一电极供应具有彼此不同的频率的多个射频能，所述多个射频能包括，第一射频能，被配置为在所述腔室中产生等离子体，第二射频能，被配置为均衡所述腔室中的所述等离子体的密度，第三射频能，被配置为使所述等离子体中的离子入射到所述基板上，以及第四射频能，被配置为使入射到所述基板上的所述离子的离子能量分布均匀。