[发明专利]像素限定层及其制备方法、OLED基板及其制备方法有效
申请号: | 201710064403.6 | 申请日: | 2017-02-04 |
公开(公告)号: | CN106784409B | 公开(公告)日: | 2018-06-05 |
发明(设计)人: | 侯文军;刘则 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司 |
主分类号: | H01L51/56 | 分类号: | H01L51/56;H01L27/32;B41J2/01 |
代理公司: | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人: | 柴亮;张天舒 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 本发明提供一种像素限定层及其制备方法、有机电致反光二极管基板及其制备方法,属于显示技术领域。本发明的像素限定层的制备方法,包括:在基底上,形成第一膜层,以及通过喷墨打印的方式形成网格状的第二膜层,且所述第一膜层位于第二膜层上;去除与所述网格状的第二膜层的镂空位置对应的所述第一膜层,并裸露出所述镂空位置处的所述第二膜层的侧边,以形成包括像素限定层的图形。在本发明的像素限定层的制备方法中,通过喷墨打印的方式直接形成位于第一膜层下方的、网格状的第二膜层,去除与网格状的第二膜层的镂空位置对应的第一膜层,以形成包括像素限定层,也即仅通过一次构图工艺就可以形成像素限定层的图形,从而简化了制备工艺。 | ||
搜索关键词: | 像素限定层 膜层 制备 第一膜层 网格状 镂空位置 喷墨打印 去除 反光二极管 构图工艺 有机电致 直接形成 制备工艺 侧边 基板 基底 | ||
【主权项】:
一种像素限定层的制备方法,其特征在于,包括如下步骤:在基底上,形成第一膜层,以及通过喷墨打印的方式形成网格状的第二膜层,且所述第一膜层位于第二膜层上;去除与所述网格状的第二膜层的镂空位置对应的所述第一膜层,并裸露出所述镂空位置处的所述第二膜层的侧边,以形成包括像素限定层的图形;其中,所述在基底上,形成第一膜层,以及通过喷墨打印的方式形成网格状的第二膜层,且所述第一膜层位于第二膜层上的步骤,具体包括:在基底上形成第一膜层;在完成上述步骤的基底上形成,通过喷墨打印的方式形成网格状的第二膜层,且所述第二膜层下沉至所述第一膜层与所述基底之间。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择
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