[发明专利]像素限定层及其制备方法、OLED基板及其制备方法有效

专利信息
申请号: 201710064403.6 申请日: 2017-02-04
公开(公告)号: CN106784409B 公开(公告)日: 2018-06-05
发明(设计)人: 侯文军;刘则 申请(专利权)人: 京东方科技集团股份有限公司
主分类号: H01L51/56 分类号: H01L51/56;H01L27/32;B41J2/01
代理公司: 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 代理人: 柴亮;张天舒
地址: 100015 *** 国省代码: 北京;11
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摘要: 发明提供一种像素限定层及其制备方法、有机电致反光二极管基板及其制备方法,属于显示技术领域。本发明的像素限定层的制备方法,包括:在基底上,形成第一膜层,以及通过喷墨打印的方式形成网格状的第二膜层,且所述第一膜层位于第二膜层上;去除与所述网格状的第二膜层的镂空位置对应的所述第一膜层,并裸露出所述镂空位置处的所述第二膜层的侧边,以形成包括像素限定层的图形。在本发明的像素限定层的制备方法中,通过喷墨打印的方式直接形成位于第一膜层下方的、网格状的第二膜层,去除与网格状的第二膜层的镂空位置对应的第一膜层,以形成包括像素限定层,也即仅通过一次构图工艺就可以形成像素限定层的图形,从而简化了制备工艺。
搜索关键词: 像素限定层 膜层 制备 第一膜层 网格状 镂空位置 喷墨打印 去除 反光二极管 构图工艺 有机电致 直接形成 制备工艺 侧边 基板 基底
【主权项】:
一种像素限定层的制备方法,其特征在于,包括如下步骤:在基底上,形成第一膜层,以及通过喷墨打印的方式形成网格状的第二膜层,且所述第一膜层位于第二膜层上;去除与所述网格状的第二膜层的镂空位置对应的所述第一膜层,并裸露出所述镂空位置处的所述第二膜层的侧边,以形成包括像素限定层的图形;其中,所述在基底上,形成第一膜层,以及通过喷墨打印的方式形成网格状的第二膜层,且所述第一膜层位于第二膜层上的步骤,具体包括:在基底上形成第一膜层;在完成上述步骤的基底上形成,通过喷墨打印的方式形成网格状的第二膜层,且所述第二膜层下沉至所述第一膜层与所述基底之间。
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