[发明专利]半导体存储装置在审
| 申请号： | 201710065712.5 | 申请日： | 2017-02-06 |
| 公开（公告）号： | CN107154273A | 公开（公告）日： | 2017-09-12 |
| 发明（设计）人： | 新居雅人 | 申请（专利权）人： | 东芝存储器株式会社 |
| 主分类号： | G11C13/00 | 分类号： | G11C13/00;H01L27/24 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司11287 | 代理人： | 杨林勋 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 实施方式的半导体存储装置包括沿所述第1方向延伸的第1配线、沿与所述第1方向交叉的第2方向延伸的第2配线、及配置在所述第1配线及所述第2配线的交叉部的存储单元，所述存储单元具有沿与所述第1及第2方向交叉的第3方向依序积层的、电阻发生电性变化的第1膜、导电性的第2膜、及绝缘性的第3膜。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 存储 装置 | ||
【主权项】：
一种半导体存储装置，包括：沿所述第1方向延伸的第1配线、沿与所述第1方向交叉的第2方向延伸的第2配线、及配置在所述第1配线及所述第2配线的交叉部的存储单元；所述存储单元具有在与所述第1及第2方向交叉的第3方向依序积层的、电阻发生电性变化的第1膜、导电性的第2膜、及绝缘性的第3膜。
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