[发明专利]III族氮化物结晶的制造方法、以及含RAMO4基板在审
| 申请号： | 201710068240.9 | 申请日： | 2017-02-07 |
| 公开（公告）号： | CN107190324A | 公开（公告）日： | 2017-09-22 |
| 发明（设计）人： | 冈山芳央;信冈政树 | 申请（专利权）人： | 松下知识产权经营株式会社 |
| 主分类号： | C30B29/40 | 分类号： | C30B29/40;C30B19/02;C30B19/12;C30B29/22 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司11021 | 代理人： | 葛凡 |
| 地址： | 日本国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明提供在RAMO4基板上通过助熔剂法制造高品质的III族氮化物结晶的方法。所述III族氮化物结晶的制造方法包括在包含通式RAMO4所表示的单晶体(通式中，R表示选自Sc、In、Y和镧系元素中的一个或多个三价元素，A表示选自Fe(III)、Ga和Al中的一个或多个三价元素，M表示选自Mg、Mn、Fe(II)、Co、Cu、Zn和Cd中的一个或多个二价元素)的RAMO4基板的外延生长面以外的区域形成保护层的保护层形成工序；在所述RAMO4基板的外延生长面上，通过助熔剂法形成III族氮化物结晶的结晶形成工序。 | ||
| 搜索关键词： | iii 氮化物 结晶 制造 方法 以及 ramo4 基板 | ||
【主权项】：
一种III族氮化物结晶的制造方法，其包括：准备含RAMO4基板的基板准备工序，所述含RAMO4基板具有包含通式RAMO4所表示的单晶体的RAMO4基板、以及在所述RAMO4基板的外延生长面以外的区域形成的保护层，通式中，R表示选自Sc、In、Y和镧系元素中的一个或多个三价元素，A表示选自Fe(III)、Ga和Al中的一个或多个三价元素，M表示选自Mg、Mn、Fe(II)、Co、Cu、Zn和Cd中的一个或多个二价元素；和结晶形成工序，在所述含RAMO4基板的未被所述保护层被覆的区域，通过助熔剂法形成III族氮化物结晶。
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