[发明专利]一种高压ESD保护电路有效
| 申请号： | 201710069229.4 | 申请日： | 2017-02-08 |
| 公开（公告）号： | CN108400578B | 公开（公告）日： | 2020-06-30 |
| 发明（设计）人： | 李发宁;马侠 | 申请（专利权）人： | 钜泉光电科技（上海）股份有限公司 |
| 主分类号： | H02H9/04 | 分类号： | H02H9/04 |
| 代理公司： | 上海申新律师事务所 31272 | 代理人： | 俞涤炯 |
| 地址： | 200120 上海*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明涉及集成电路设计领域，尤其涉及一种高压ESD保护电路。包括一输入/输出端口，于ESD应力事件发生后，输入ESD电流；第一电源轨，提供一高压电源，高压电源通过第一ESD泄放单元与输入/输出端口相连；第二电源轨，提供一高压地，高压地通过一第二ESD泄放单元与输入/输出端口相连；一第三ESD高压泄放NMOS管，连接于高压电源和高压地之间；第三ESD高压泄放NMOS管的栅极与高压电源之间连接一串联的第一电容和第二电容，第三ESD高压泄放NMOS管的栅极和高压地之间存在一栅源寄生电容，该栅源寄生电容两端再并联一齐纳二极管和一下拉电阻。本发明提供了一种简单可靠与BCD工艺兼容的低成本的高压ESD保护电路。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 高压 esd 保护 电路 | ||
【主权项】：
1.一种高压ESD保护电路，其特征在于，包括，一输入/输出端口(I/O)，于ESD应力事件发生后，输入ESD电流；第一电源轨，提供一高压电源(VDDHV)，所述高压电源(VDDHV)通过第一ESD泄放单元(HVpLDMOS1)与所述输入/输出端口(I/O)相连；第二电源轨，提供一高压地(VSSH)，所述高压地(VSSHV)通过一第二ESD泄放单元(HVnLDMOS2)与所述输入/输出端口(I/O)相连；一第三ESD高压泄放NMOS管(HVnLDMOS1)，连接于所述高压电源(VDDHV)和所述高压地(VSSHV)之间；所述第三ESD高压泄放NMOS管(HVnLDMOS1)的栅极与所述高压电源(VDDHV)之间连接一串联的第一电容(C1)和第二电容(C2)，所述第三ESD高压泄放NMOS管(HVnLDMOS1)的栅极和所述高压地(VSSHV)之间存在一栅源寄生电容(Cgs)。
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