[发明专利]一种显示基板、半导体器件及其制作方法、显示装置

摘要

本发明涉及显示技术领域，公开了一种显示基板、半导体器件及其制作方法、显示装置。所述显示基板的每一像素区域包括作为开关元件的第一薄膜晶体管和作为驱动元件的第二薄膜晶体管，所述第一薄膜晶体管的第一有源层和第二薄膜晶体管的第二有源层由同一非晶硅层制得。并设置激光通过一遮挡层对非晶硅层进行准分子激光退火工艺，以使第一有源层的晶化程度大于第二有源层的晶化程度，减小第二薄膜晶体管的工作电流Ion，以更好地显示不同的灰阶，提高显示质量。同时，第一薄膜晶体管具有较大的工作电流Ion，保证第一薄膜晶体管的性能。另外，在满足驱动的前提下，还能够将第二薄膜晶体管的沟道长度做得更小，有利于实现高PPI。

主权项

一种半导体器件的制作方法，所述半导体器件包括第一薄膜晶体管和第二薄膜晶体管，所述制作方法包括：形成所述第一薄膜晶体管的第一有源层和第二薄膜晶体管的第二有源层，其特征在于，形成所述第一薄膜晶体管的第一有源层和第二薄膜晶体管的第二有源层的步骤包括：形成同层设置的第一非晶硅层图形和第二非晶硅层图形；提供一遮挡层，所述遮挡层包括透光区域和不透光区域；利用激光通过所述遮挡层照射所述第一非晶硅层图形和第二非晶硅层图形，所述第一非晶硅层图形与所述透光区域的位置对应，所述第二非晶硅层图形与所述不透光区域的位置对应，所述第一非晶硅层图形被激光照射后发生结晶，形成第一多晶硅层，由所述第一多晶硅层形成所述第一有源层，由所述第二非晶硅层图形形成所述第二有源层，所述第一有源层的晶粒尺寸大于所述第二有源层的晶粒尺寸。