[发明专利]一种发光二极管的制备方法

摘要

本发明公开了一种发光二极管的制备方法，属于光电子技术领域。该制备方法包括提供一衬底，在衬底上外延生长N型缓冲层、N型腐蚀停层、N型欧姆接触层、第一N型粗化引导层、第二N型粗化引导层、N型电流扩展层等外延层，在外延层上制作金属反射层，将金属反射层粘合到基板上，依次去除衬底、N型缓冲层和N型腐蚀停层，制作第一电极，去除位于第一电极在基板厚度方向上的投影之外的N型欧姆接触层，对第一N型粗化引导层、第二N型粗化引导层和N型电流扩展层进行粗化处理，最终形成颗粒小，分布均匀且高度较高的表面，从而可以避免因粗化不均而引起发光二极管亮度不均匀的情况。

主权项

1.一种发光二极管的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括：提供一衬底；在所述衬底上依次生长N型缓冲层、N型腐蚀停层、N型欧姆接触层、第一N型粗化引导层、第二N型粗化引导层、N型电流扩展层、N型限制层、多量子阱层、P型限制层、P型电流扩展层和金属反射层；其中，所述第一N型粗化引导层为(AlxGa1‑x)0.5In0.5P层，所述第二N型粗化引导层为(AlyGa1‑y)0.5In0.5P层，且x＞y；提供一基板；将所述金属反射层粘合到所述基板上；依次去除所述衬底、所述N型缓冲层和所述N型腐蚀停层，以露出所述N型欧姆接触层；在所述N型欧姆接触层上制作第一电极；去除位于所述第一电极在所述基板厚度方向上的投影之外的所述N型欧姆接触层，以露出所述第一N型粗化引导层；从所述第一N型粗化引导层远离所述基板的一侧面向靠近所述基板的方向进行粗化处理，且所述粗化处理的粗化深度大于所述第一N型粗化引导层和所述第二N型粗化引导层的总厚度；在所述基板的背向所述金属反射层的一侧面上制作第二电极。