[发明专利]晶体管装置有效

专利信息
申请号: 201710071802.5 申请日: 2017-02-09
公开(公告)号: CN108231883B 公开(公告)日: 2020-09-25
发明(设计)人: 王泰瑞;张祖强;冯捷威;颜劭安;陈韦翰 申请(专利权)人: 财团法人工业技术研究院
主分类号: H01L29/78 分类号: H01L29/78;H01L29/06;H01L29/10;H01L29/423
代理公司: 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 代理人: 祁建国;梁挥
地址: 中国台湾新竹*** 国省代码: 台湾;71
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摘要: 发明提供一种晶体管装置包括半导体材料层、栅极层以及绝缘层。半导体材料层一体地包括第一导电部、第二导电部、通道部以及第一凸出部。通道部位于第一导电部与第二导电部之间。通道部具有第一边界、第二边界、第三边界与第四边界,其中第一边界与第一导电部邻接,第二边界与第二导电部邻接,而第三边界与第四边界连接第一边界与第二边界的端点。第一凸出部由通道部的第三边界向外凸出。栅极层横越并重叠通道部。栅极层的第一栅极边界与第二栅极边界重叠于通道部的第一边界与第二边界。绝缘层设置于栅极层与半导体材料层之间。
搜索关键词: 晶体管 装置
【主权项】:
1.一种晶体管装置,其特征在于,包括:半导体材料层,一体的包括第一导电部、第二导电部、通道部以及第一凸出部,所述通道部位于所述第一导电部与所述第二导电部之间,其中所述通道部具有第一边界、第二边界、第三边界与第四边界,所述第一边界与所述第一导电部邻接,所述第二边界与所述第二导电部邻接,而所述第三边界与所述第四边界连接所述第一边界与所述第二边界的端点,所述第一凸出部从所述通道部的所述第三边界向外凸出;栅极层,横越并重叠所述通道部,所述栅极层的第一栅极边界与第二栅极边界重叠于所述通道部的所述第一边界与所述第二边界;以及绝缘层,设置于所述栅极层与所述半导体材料层之间。
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