[发明专利]曝光目标图形的修正方法有效
申请号: | 201710073602.3 | 申请日: | 2013-12-30 |
公开(公告)号: | CN106896648B | 公开(公告)日: | 2019-01-22 |
发明(设计)人: | 王铁柱;舒强 | 申请(专利权)人: | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
主分类号: | G03F7/20 | 分类号: | G03F7/20;G03F1/36;H01L21/027 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 吴圳添;吴敏 |
地址: | 201203 *** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 一种辅助图形的形成方法和一种曝光目标图形的修正方法,所述辅助图形的形成方法包括:将所述下层图形和当前层图形重叠,形成第二图形;将所述第二图形取反,获得第三图形;将所述第三子图形的尺寸长度和宽度均缩小第一预设值,形成第四图形;去除所述第四图形中的不可曝光的部分第四子图形,形成第五图形,所述第五图形作为当前层图形的辅助图形。所述曝光目标图形的形成方法包括:将所述下层曝光目标图形和待修正图形重叠,形成重叠图形;建立光刻分辨率限制表;根据所述光刻分辨率限制表,对与第一下层子图形有重叠的部分第一待修正子图形的尺寸进行修正,形成第一修正子图形。可以提高掩膜版的透光率、提高对曝光目标图形进行修正的准确性。 | ||
搜索关键词: | 曝光 目标 图形 修正 方法 | ||
【主权项】:
1.一种曝光目标图形的修正方法,其特征在于,包括:提供下层曝光目标图形和待修正图形,所述下层曝光目标图形包括若干长条状的第一下层子图形,所述待修正图形中包括若干第一待修正子图形;将所述下层曝光目标图形和待修正图形重叠,形成重叠图形,所述待修正图形位于下层曝光目标图形上方,部分第一待修正子图形与部分第一下层子图形之间具有重叠部分;提供掩膜图形,所述掩膜图形上具有若干不同宽度和间距的子图形,所述子图形为掩膜图形的遮光区域;对所述掩膜图形进行曝光,得到曝光图形,所述曝光图形包括若干曝光子图形;以所述曝光子图形的宽度和相邻曝光子图形之间的间距分别作为横坐标和纵坐标,建立光刻分辨率限制表,所述光刻分辨率限制表包括可曝光区域和不可曝光区域;根据所述光刻分辨率限制表,保持所述第一待修正子图形的中心位置不变,对与第一下层子图形有重叠的部分第一待修正子图形的尺寸进行修正,形成第一修正子图形,使所述第一修正子图形进入可曝光区域,并且位于所述可曝光区域中最接近不可曝光区域的位置。
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