[发明专利]用以在FDSOI中实施后偏置的布局及布线方法

摘要

本发明提供了一种用以在完全耗尽绝缘体上硅(FDSOI)中实施后偏置(back bias)的布局及布线方法。依据本文中的一些示例实施例，该布局及布线方法包括沿第一方向布局第一多个标准连接阱单元，该标准连接阱单元通过以下方式形成：在第一金属化层中布线p‑BIAS线VPW及n‑BIAS线VNW，以及在第二金属化层中布线功率轨线及接地轨线，该VPW及该VNW延伸跨越各该功率轨线及接地轨线，其中，该第一多个标准连接阱单元的该VPW连续连接且该第一多个标准连接阱单元的该VNW连续连接。

主权项

一种用以在完全耗尽绝缘体上硅(FDSOI)中实施后偏置的布局及布线方法，包括：沿第一方向布局第一多个标准连接阱单元，该标准连接阱单元通过以下方式形成：在第一金属化层中布线p‑BIAS线(VPW)及n‑BIAS线(VNW)，以及布线功率(VSS)轨线及接地(VDD)轨线，该VPW及该VNW延伸跨越第二金属化层中的该VDD轨线及该VSS轨线，其中，该第一多个标准连接阱单元的该VPW连续连接，以及其中，该第一多个标准连接阱单元的该VNW连续连接。