[发明专利]准分子激光退火工序用脱氧装置有效
申请号: | 201710080416.2 | 申请日: | 2017-02-15 |
公开(公告)号: | CN107154348B | 公开(公告)日: | 2023-03-31 |
发明(设计)人: | 沈亨基;李基雄;严泰骏;林基锡 | 申请(专利权)人: | AP系统股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/268 | 分类号: | H01L21/268;H01L21/67 |
代理公司: | 北京锺维联合知识产权代理有限公司 11579 | 代理人: | 罗银燕 |
地址: | 韩国京畿道华城市东*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明为准分子激光退火工序用脱氧装置,上述准分子激光退火工序用脱氧装置包括;壳体;脱氧模块,与上述壳体的一侧相结合,用于向基板上部侧供给非活性气体,恒定地维持上述基板上部侧的氧浓度,上述脱氧模块包括:盖板,形成有非活性气体注入口;第一板,以面接触的方式与上述盖板相结合;第二板,形成有非活性气体的扩散路径;多个螺杆,在上述螺杆的外周面设有螺杆管道;第一空间部,用于混合上述非活性气体;以及第三板,用于向上述基板上部侧供给上述非活性气体。 | ||
搜索关键词: | 准分子激光 退火 工序 脱氧 装置 | ||
【主权项】:
一种准分子激光退火工序用脱氧装置,包括:壳体;脱氧模块,与上述壳体的一侧相结合,用于向基板上部侧供给非活性气体,恒定地维持上述基板上部侧的氧浓度,上述准分子激光退火工序用脱氧装置的特征在于,上述脱氧模块包括:盖板,形成有非活性气体注入口;第一板,以面接触的方式与上述盖板相结合;第二板,以面接触的方式与上述第一板相结合,包括扩散路径,上述扩散路径与上述非活性气体注入口相连通,用于使注入的上述非活性气体扩散;多个螺杆,头部与上述盖板相结合,在上述螺杆的外周面设有螺杆管道,以贯通上述第一板和第二板的方式结合有本体部,使在上述扩散路径扩散的上述非活性气体沿着上述螺杆管道扩散;以及第三板,以面接触的方式与上述第二板相结合,形成有用于混合沿着上述螺杆管道扩散的上述非活性气体的第一空间部,以向上述基板上部侧供给上述非活性气体。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于AP系统股份有限公司,未经AP系统股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201710080416.2/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造