[发明专利]X光侦测器的像素电路及X光侦测器有效
申请号: | 201710083763.0 | 申请日: | 2017-02-16 |
公开(公告)号: | CN108447941B | 公开(公告)日: | 2019-10-18 |
发明(设计)人: | 陈宇珩 | 申请(专利权)人: | 群创光电股份有限公司 |
主分类号: | H01L31/115 | 分类号: | H01L31/115;H01L25/16;H01L27/146 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人: | 任岩 |
地址: | 中国台湾新竹科学工*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | 本发明提供了一种X光侦测器的像素电路及X光侦测器,像素电路包含:一感光二极管、一第一晶体管、一第二晶体管及一第三晶体管。感光二极管用于感测X光,并产生相对应的一感测电性信号。第一晶体管电性连接至感光二极管,以重置感测电性信号。第二晶体管电性连接至感光二极管及第一晶体管,以放大该感测电性信号,并产生一放大感测信号。第三晶体管电性连接至该第二晶体管,从而输出放大感测信号。其中,第二晶体管的一端电性连接至一高电压,第一晶体管的一端电性连接至一调校电压,高电压与调校电压分别控制。 | ||
搜索关键词: | 晶体管 电性连接 感光二极管 侦测器 感测 电性信号 像素电路 感测信号 高电压 调校 放大 输出放大 重置 | ||
【主权项】:
1.一种X光侦测器的像素电路,其特征在于,包含:一感光二极管,用于感测X光,并产生相对应的一感测电性信号;一第一晶体管,电性连接至该感光二极管,以重置该感测电性信号;一第二晶体管,电性连接至该感光二极管及该第一晶体管,以放大该感测电性信号,并产生一放大感测信号;以及一第三晶体管,电性连接至该第二晶体管,以输出该放大感测信号,其中,该第二晶体管的一端电性连接至一高电压,该第一晶体管的一端电性连接至一调校电压,该高电压与该调校电压分别控制。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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