[发明专利]X光侦测器的像素电路及X光侦测器有效

专利信息
申请号: 201710083763.0 申请日: 2017-02-16
公开(公告)号: CN108447941B 公开(公告)日: 2019-10-18
发明(设计)人: 陈宇珩 申请(专利权)人: 群创光电股份有限公司
主分类号: H01L31/115 分类号: H01L31/115;H01L25/16;H01L27/146
代理公司: 中科专利商标代理有限责任公司 11021 代理人: 任岩
地址: 中国台湾新竹科学工*** 国省代码: 中国台湾;71
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摘要: 发明提供了一种X光侦测器的像素电路及X光侦测器,像素电路包含:一感光二极管、一第一晶体管、一第二晶体管及一第三晶体管。感光二极管用于感测X光,并产生相对应的一感测电性信号。第一晶体管电性连接至感光二极管,以重置感测电性信号。第二晶体管电性连接至感光二极管及第一晶体管,以放大该感测电性信号,并产生一放大感测信号。第三晶体管电性连接至该第二晶体管,从而输出放大感测信号。其中,第二晶体管的一端电性连接至一高电压,第一晶体管的一端电性连接至一调校电压,高电压与调校电压分别控制。
搜索关键词: 晶体管 电性连接 感光二极管 侦测器 感测 电性信号 像素电路 感测信号 高电压 调校 放大 输出放大 重置
【主权项】:
1.一种X光侦测器的像素电路,其特征在于,包含:一感光二极管,用于感测X光,并产生相对应的一感测电性信号;一第一晶体管,电性连接至该感光二极管,以重置该感测电性信号;一第二晶体管,电性连接至该感光二极管及该第一晶体管,以放大该感测电性信号,并产生一放大感测信号;以及一第三晶体管,电性连接至该第二晶体管,以输出该放大感测信号,其中,该第二晶体管的一端电性连接至一高电压,该第一晶体管的一端电性连接至一调校电压,该高电压与该调校电压分别控制。
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