[发明专利]用于制造半导体器件的方法

摘要

提供了一种稳定的用于制造半导体器件的方法。在半导体器件的制造方法中，首先在半导体衬底的存储器单元部分和逻辑部分中的每个部分中形成具有相等宽度的鳍。然后，在利用掩膜覆盖存储器单元部分中的鳍的情况下刻蚀逻辑部分中的鳍，由此制造逻辑部分中的鳍，逻辑部分中的每个鳍都比存储器单元部分中形成的鳍窄。

主权项

一种用于制造半导体器件的方法，包括以下步骤：(a)提供具有主表面的半导体衬底；(b)在所述半导体衬底的所述主表面的第一区域和第二区域中的每个区域中形成第一掩膜；(c)在所述第一区域和所述第二区域中的每个区域中的所述第一掩膜的侧壁之上形成第二掩膜；(d)在去除所述第一掩膜后，通过对所述半导体衬底的位于所述第一区域和所述第二区域中的所述第二掩膜以外的部分的刻蚀来提供凹部，以在所述第二掩膜之下形成第一凸部，所述第一凸部具有第一宽度；(e)通过在利用第三掩膜覆盖所述第一区域中的所述第一凸部的情况下刻蚀所述第二区域中的所述第一凸部，在所述第二区域中形成第二凸部，所述第二区域中的所述第二凸部具有第二宽度；(f)在所述第一区域中经由第一绝缘膜形成第一栅电极以跨越所述第一凸部；以及(g)在所述第二区域中经由第二绝缘膜形成第二栅电极以跨越所述第二凸部，其中所述第二宽度比所述第一宽度窄。