[发明专利]半导体结构及其制造方法在审
| 申请号： | 201710087324.7 | 申请日： | 2017-02-17 |
| 公开（公告）号： | CN108615685A | 公开（公告）日： | 2018-10-02 |
| 发明（设计）人： | 林柏均 | 申请（专利权）人： | 南亚科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/50 | 分类号： | H01L21/50;H01L23/10;H01L23/367;H01L23/528 |
| 代理公司： | 隆天知识产权代理有限公司 72003 | 代理人： | 李昕巍;郑特强 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本公开提供了一种半导体结构及其制造方法，该半导体结构包含：一第一半导体元件；至少一传导件，位于该第一半导体元件上；一第二半导体元件，位于该第一半导体元件上；一封装件，位于该第一半导体元件上；以及一重布线层(RDL)，位于该第二半导体元件与该至少一传导件上。该封装件环绕该第二半导体元件与该至少一传导件，且该封装件并未延伸至该第一半导体元件与该第二半导体元件之间的界面。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体元件 半导体结构 传导件 封装件 重布线层 制造 环绕 延伸 | ||
【主权项】：
1.一种半导体结构，包括：一第一半导体元件；至少一传导件，位于该第一半导体元件上；一第二半导体元件，位于该第一半导体元件上；一封装件，位于该第一半导体元件上，以及该封装件环绕该第二半导体元件与该至少一传导件；以及一重布线层，位于该第二半导体元件与该至少一传导件上。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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