[发明专利]基板处理装置和基板处理方法有效
申请号: | 201710087455.5 | 申请日: | 2017-02-17 |
公开(公告)号: | CN107104065B | 公开(公告)日: | 2021-11-12 |
发明(设计)人: | 梶原正幸;安藤了至;正木洋一;稻田博一 | 申请(专利权)人: | 东京毅力科创株式会社 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;H01J37/32;H01J37/305 |
代理公司: | 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 | 代理人: | 龙淳 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 本发明提供一种在通过共用的排气通路对产生包含附着成分的气氛的多个基板处理部的气氛进行排气时,能够可靠地检测每个基板处理部的独立排气通路的异常的技术。在利用排气能力设备通过共用排气通路(60)对在晶片(W)进行抗蚀剂涂敷的多个抗蚀剂涂敷单元(10A~10D)排气时,测定每个抗蚀剂涂敷单元(10A~10D)的独立排气管(50A~50D)的排气压力与共用排气通路(60)的排气压力,比较各测定值与对应的容许压力范围。因此,能够可靠地检测出独立排气管(50A~50D)中的附着物的堵塞等的异常。 | ||
搜索关键词: | 处理 装置 方法 | ||
【主权项】:
一种基板处理装置,其特征在于,包括:多个基板处理部,其进行产生包含附着成分的气氛的基板处理;分别设置在所述多个基板处理部的、用于对该基板处理部中的基板的气氛进行排气的独立排气通路;汇合各个所述独立排气通路,并且通过排气能力设备排气的共用排气通路;设置在各个所述独立排气通路的、用于测定所述独立排气通路的排气压力的第一压力测定部;设置在所述共用排气通路的、用于测定该共用排气通路的排气压力的第二压力测定部;和异常检测部,其基于所述第一压力测定部的测定值与第一容许压力范围的比较结果和所述第二压力测定部的测定值与第二容许压力范围的比较结果,来检测独立排气通路中的异常。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造