[发明专利]基板处理装置有效
| 申请号： | 201710089741.5 | 申请日： | 2017-02-20 |
| 公开（公告）号： | CN107154333B | 公开（公告）日： | 2019-10-08 |
| 发明（设计）人： | 土场重树;小川裕之;内藤啓;清水昭贵;松土龙夫 | 申请（专利权）人： | 东京毅力科创株式会社 |
| 主分类号： | H01J37/32 | 分类号： | H01J37/32 |
| 代理公司： | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人： | 刘新宇 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 提供一种基板处理装置。本发明的目的是抑制自由基的失活、实现蚀刻的均匀性。本发明提供一种基板处理装置，其通过高频的能量从气体生成等离子体，通过所生成的等离子体中的自由基在处理容器的内部对基板进行蚀刻处理，所述基板处理装置具有：高频电源，其向所述处理容器的内部供给高频的能量；气体供给源，其向所述处理容器的内部导入气体；载置台，其载置所述基板；以及分隔板，其设置在所述处理容器的内部，将所述处理容器的内部分隔为等离子体生成空间和基板处理空间，该分隔板抑制离子的穿过，其中，所述分隔板以及所述处理容器的内壁表面中的至少比所述载置台靠上的部分被再结合系数为0.002以下的电介质覆盖。 | ||
| 搜索关键词： | 处理 装置 | ||
【主权项】：
1.一种基板处理装置，通过高频的能量从气体生成等离子体，通过所生成的等离子体中的自由基在处理容器的内部对基板进行蚀刻处理，所述基板处理装置具有：高频电源，其向所述处理容器的内部供给高频的能量；气体供给源，其向所述处理容器的内部导入气体；载置台，其载置所述基板；以及分隔板，其设置在所述处理容器的内部，将所述处理容器的内部分隔为等离子体生成空间和基板处理空间，该分隔板抑制离子的穿过，其中，所述分隔板以及所述处理容器的内壁表面中的至少比所述载置台靠上的部分的整面被再结合系数为0.002以下的电介质覆盖，从载置于所述载置台的基板的外缘部到所述处理容器的内壁的距离为10mm以上，高频的能量从所述处理容器的顶部的外壁侧设置的天线室穿过所述顶部的电介质窗而供给到所述等离子体生成空间，以使得与所述处理容器的径向内侧相比径向外侧的等离子体的体积或密度大。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于东京毅力科创株式会社，未经东京毅力科创株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201710089741.5/，转载请声明来源钻瓜专利网。
