[发明专利]清洁方法、半导体器件的制造方法、衬底处理装置及介质

摘要

本发明涉及清洁方法、半导体器件的制造方法、衬底处理装置及记录介质。提高进行了形成膜的处理后的处理室内的清洁效率。对进行了在衬底上形成膜的处理后的处理室内进行清洁的方法，包括：向加热至第一温度的处理室内供给包含氢和氟的气体的工序；使处理室内的温度升温至比第一温度高的第二温度的工序；和向加热至第二温度的处理室内供给包含氟的气体的工序，其中，第一温度设为包含氟的气体不发生活化的温度，第二温度设为包含氟的气体发生活化的温度。

主权项

1.一种清洁方法，其为对进行了在衬底上形成膜的处理后的处理室内进行清洁的方法，包括：向加热至第一温度的所述处理室内供给HF气体且不供给F₂气体的工序，其中所述第一温度为30℃～100℃的范围内的温度；使所述处理室内的温度升温至比所述第一温度高的第二温度的工序，其中所述第二温度为250℃～450℃的范围内的温度；和向加热至所述第二温度的所述处理室内供给F₂气体的工序，其中，所述第一温度为所述F₂气体不发生活化的温度，所述第二温度为所述F₂气体发生活化的温度。