[发明专利]一种绝缘栅双极型晶体管的制造方法在审
| 申请号： | 201710092140.X | 申请日： | 2017-02-21 |
| 公开（公告）号： | CN106783610A | 公开（公告）日： | 2017-05-31 |
| 发明（设计）人： | 陈万军;刘亚伟;陶宏;刘承芳;刘杰;张波 | 申请（专利权）人： | 电子科技大学 |
| 主分类号： | H01L21/331 | 分类号： | H01L21/331;H01L29/739 |
| 代理公司： | 成都点睛专利代理事务所(普通合伙)51232 | 代理人： | 葛启函 |
| 地址： | 611731 四川省*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明提供一种绝缘栅双极型晶体管及其制造方法。其方法包括提供一块相对低电阻率的N型硅片，在N型硅片上方外延形成相对高电阻率的外延层；在形成的外延层上方完成器件的正面制作工序；将硅片减薄至设计厚度；清洗硅片，背面离子注入P型杂质，退火形成P型集电区；完成背面金属淀积。该绝缘栅双极型晶体管的制备方法与现有工艺兼容，不需要专有设备，可大大降低成本，相比于传统的非穿通型绝缘栅双极型晶体管，该绝缘栅双极型晶体管还具有FS‑IGBT的优点，在相同工作电压下具有更小的漏电流，这将很好的提高IGBT的高温稳定性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 绝缘 栅双极型 晶体管 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种绝缘栅双极型晶体管的制造方法，其特征在于，包括以下步骤：a.在一块相对低电阻率的N型硅片(1)上外延形成相对高电阻率的N型外延层(2)；b.在a步所形成的N型外延层(2)上完成正面制作工序，包括：形成栅氧化层(3)、多晶硅层(4)、P阱(5)、N+发射区(6)、BPSG层(7)以及正面金属层(8)；c.翻转后减薄硅片；d.清洗硅片，背面离子注入P型杂质，退火形成P型集电区(9)；e.在P型集电区(9)表面淀积形成金属层(10)。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
