[发明专利]半导体装置以及制造的方法有效
| 申请号： | 201710094366.3 | 申请日： | 2017-02-21 |
| 公开（公告）号： | CN107134413B | 公开（公告）日： | 2020-04-10 |
| 发明（设计）人： | 余振华;郭庭豪;刘重希;蔡豪益 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/50 | 分类号： | H01L21/50;H01L23/498 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人： | 路勇 |
| 地址： | 中国台湾新竹市*** | 国省代码： | 台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本公开内容提供一种半导体装置以及制造的方法。该半导体装置具有顶部金属层；第一钝化层，在所述顶部金属层上方；第一重布层，在所述第一钝化层上方；第一聚合物层；以及第一导电通路，延伸通过所述第一聚合物层。所述第一聚合物层与所述第一钝化层物理接触。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 以及 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种制造半导体装置的方法，所述方法包含：施加第一聚合物层于第一重布层上方，所述第一重布层位于半导体衬底上方；图案化所述第一聚合物层以暴露至少所述第一重布层的一部分；形成第一导电通路通过所述第一聚合物层且与所述第一重布层电连接，其中所述第一导电通路具有不大于10μm的第一厚度；在所述形成所述第一导电通路之后，以囊封剂囊封所述半导体衬底，其中所述囊封剂不与所述第一导电通路物理接触；沉积第二聚合物层于所述囊封剂上方且与所述第一导电通路物理接触；以及形成第一扇出重布层于所述第二聚合物层上方且通过所述第二聚合物层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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