[发明专利]垂直腔表面发射激光器及激光器阵列有效
申请号: | 201710095854.6 | 申请日: | 2017-02-22 |
公开(公告)号: | CN107104363B | 公开(公告)日: | 2020-09-25 |
发明(设计)人: | A.V.巴尔夫;A.袁 | 申请(专利权)人: | 朗美通经营有限责任公司 |
主分类号: | H01S5/183 | 分类号: | H01S5/183;H01S5/42 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人: | 葛青 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 表面发射激光器可以包括隔离层,隔离层包括第一中心部分和从第一中心部分延伸的第一多个外部部分;以及金属层,金属层包括第二中心部分和从第二中心部分延伸的第二多个外部部分。金属层可以形成在隔离层上,使得第二多个外部部分中的第一外部部分形成在第一多个外部部分中的一个之上。表面发射激光器可以包括钝化层,钝化层包括多个开口。开口可以形成在第一外部部分之上。表面发射激光器可以包括多个氧化沟槽。氧化沟槽可以定位在第一外部部分和第二多个外部部分中的第二外部部分之间。 | ||
搜索关键词: | 垂直 表面 发射 激光器 阵列 | ||
【主权项】:
一种垂直腔表面发射激光器(VCSEL),包括:植入隔离层,其包括具有第一半径的圆形部分和从所述圆形部分的圆周延伸的第一多个延伸部分;P欧姆金属层,其包括具有第二半径的环形部分和从所述环形部分的圆周延伸的第二多个延伸部分,所述P欧姆金属层形成在所述植入隔离层上,使得所述第二多个延伸部分定位在所述植入隔离层的所述第一多个延伸部分之上;多个电介质通孔开口,其形成在电介质通孔层上,所述多个电介质通孔开口中的电介质通孔开口定位在所述第一多个延伸部分中的第一延伸部分之上和所述第二多个延伸部分中的第一延伸部分之上;以及多个氧化沟槽,所述多个氧化沟槽中的氧化沟槽至少部分地定位在所述第一多个延伸部分中的第一延伸部分和所述第一多个延伸部分中的第二延伸部分之间。
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