[发明专利]具有放大通道区的FINFET装置

摘要

本发明涉及具有放大通道区的FINFET装置，所提供的是一种半导体装置，其包括半导体层、半导体层的表面上所形成的多个半导体鳍片、以及半导体层的表面上方所形成的多个栅极电极。半导体鳍片沿着与半导体层的表面平行的第一方向彼此平行延展，并且垂直于第一方向的第二方向具有第一高度，以及栅极电极包含沿着第一方向平行于半导体鳍片延展的纵向部分，并且特别的是，顺着第二方向具有比第一高度更低的第二高度。

主权项

一种半导体装置，包含：半导体层；该半导体层的表面上所形成的多个半导体鳍片；以及该半导体层的该表面上方所形成的多个栅极电极；其中该多个半导体鳍片沿着与该半导体层的该表面平行的第一方向彼此平行延展，并且垂直于该第一方向的第二方向具有第一高度；以及该多个栅极电极包含沿着该第一方向平行于该多个半导体鳍片延展的纵向部分，并且特别的是，该第二方向具有比该第一高度更低的第二高度。