[发明专利]用于FINFET架构的用固态扩散源掺杂的隔离阱

摘要

沿非平面半导体鳍状物结构的一部分形成杂质源膜。所述杂质源膜可以用作杂质来源，所述杂质在从源膜扩散到所述半导体鳍状物中之后变得具有电活性。在一个实施例中，杂质源膜被设置为与设置在鳍状物的有源区与衬底之间的子鳍状物区的一部分的侧壁表面相邻，并且比所述有源区更接近所述衬底。在其它实施例中，所述杂质源膜可以提供掺杂剂的源，所述掺杂剂使所述子鳍状物区相对于所述衬底的区域被互补掺杂，以形成P/N结，所述P/N结是将有源鳍状物区与所述衬底的区域电隔离的隔离结构的至少一部分。

主权项

一种结构，包括：鳍状物，所述鳍状物包括硅并且包括位于第二区域之上的第一区域；栅极叠置体，所述栅极叠置体与所述第一区域的侧壁表面相邻，其中，所述栅极叠置体包括栅极电介质和栅极电极；源极和漏极；电介质层，所述电介质层与所述第二区域的侧壁表面相邻，其中，所述电介质层包括杂质，所述杂质还存在于所述第二区域内并且与导电类型相关联；以及隔离材料，所述隔离材料与所述电介质层相邻。