[发明专利]电熔氧化镁球形晶型结构的生产方法

摘要

本发明涉及电熔氧化镁技术领域，具体涉及一种电熔氧化镁的生产方法。电熔氧化镁球形晶型结构的生产方法，包括如下步骤：将菱镁矿石在破碎机中破碎制成0mm～10mm块料。将单质硅在破碎机中破碎。称取单质硅备用。预备圆筒，按照熔炼电熔氧化镁的工艺进行操作。把小块单质硅分4批，均匀的覆盖在菱镁矿石上。把步骤五在2800℃高温、时间为11小时下，单质硅与中菱镁矿石合成球状结晶结构。撤出圆筒，露出圆柱形的料体，用人工将其破碎，再挑选出氧化镁含量达到98％以上的电熔的“氧化镁—硅”的块料，即为电熔氧化镁。本发明得到的球形晶型结构电熔氧化镁，提高粉碎得率，降低生产成本，改善最终产品用户的生产环境。

主权项

1.电熔氧化镁球形晶型结构的生产方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤一：将菱镁矿石作为电熔氧化镁的原料在破碎机中破碎，制成0mm～10mm块料备用；步骤二：将单质硅在破碎机中破碎，制成3mm～6mm之间的小块；步骤三：称取步骤二的小块单质硅，备用；步骤四：生产前预先准备圆筒，把圆筒搁置在一台轨道车上，圆筒底部放置电熔镁废料，防止在高温下把底部烧穿而报废，按照熔炼电熔氧化镁的工艺进行操作，电熔氧化镁的原料采用步骤一的菱镁矿石；步骤五：在步骤四熔炼电熔氧化镁过程中，把步骤三的小块单质硅在保持熔炼温度2800℃高温下分4批，间隔时间为2小时，均匀的覆盖在步骤四中菱镁矿石上；步骤六：然后在2800℃高温、时间为11小时下，单质硅与菱镁矿石合成球状结晶结构；步骤七：然后在常温下冷却7天，温度降至100℃～200℃之间，于第8天撤出圆筒，露出圆柱形的料体并且将其外表铲除无用的没有完全电熔的物料，人工将其破碎，再挑选出氧化镁含量达到98％以上的电熔的“氧化镁—硅”的块料，即为球形晶型结构的电熔氧化镁。