[发明专利]半导体器件及其制造方法

摘要

本公开提供了半导体器件及其制造方法。一种半导体器件包括在基板上的第一有源结构，第一有源结构在第一方向上包括第一外延图案、第二外延图案以及在第一外延图案和第二外延图案之间的第一沟道图案，第一沟道图案包括堆叠在基板上的至少一个沟道图案。第一栅极结构设置在第一沟道图案的顶表面和底表面上。第二有源结构在基板上并在第一方向上包括第二外延图案、第三外延图案以及在第二外延图案和第三外延图案之间的第二沟道图案。第二沟道图案包括堆叠在基板上的至少一个沟道图案。第二沟道图案的堆叠的沟道图案的数量大于第一沟道图案的堆叠的沟道图案的数量。第二栅极结构设置在第二沟道图案的顶表面和底表面上。

主权项

一种半导体器件，包括：第一有源结构，在基板上并在平行于所述基板的顶表面的第一方向上包括第一外延图案、第二外延图案以及在所述第一外延图案和所述第二外延图案之间的第一沟道图案，所述第一沟道图案包括堆叠在所述基板上的至少一个沟道图案；第一栅极结构，设置在所述第一沟道图案的顶表面和底表面上，并在垂直于所述第一方向且平行于所述基板的所述顶表面的第二方向上延伸；第二有源结构，在所述基板上并在所述第一方向上包括所述第二外延图案、第三外延图案以及在所述第二外延图案和所述第三外延图案之间的第二沟道图案，所述第二沟道图案包括堆叠在所述基板上的至少两个沟道图案，其中所述第二沟道图案的堆叠的沟道图案的数量大于第一沟道图案的堆叠的沟道图案的数量；以及第二栅极结构，设置在所述第二沟道图案的顶表面和底表面上并在所述第二方向上延伸。