[发明专利]非易失性存储器的制造方法及非易失性存储器有效
| 申请号： | 201710104009.0 | 申请日： | 2017-02-24 |
| 公开（公告）号： | CN107123651B | 公开（公告）日： | 2022-03-29 |
| 发明（设计）人： | 刘键炫;庄强名;李智銘;庄坤苍;廖宏哲;盘家铭;陈信吉 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/11563 | 分类号： | H01L27/11563;H01L27/11578;H01L27/11517;H01L27/11551 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人： | 章社杲;李伟 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明的实施例提供了一种制造非易失性存储器的方法。提供包括第一区域和位于第一区域的外围处的第二区域的衬底。在衬底的第一区域上形成多个堆叠结构。在衬底的第二区域上形成壁结构。在衬底上方形成导电层。在导电层上方形成底部抗反射涂层。回蚀刻底部抗反射涂层和导电层。图案化导电层。本发明的实施例还提供了一种非易失性存储器。 | ||
| 搜索关键词： | 非易失性存储器 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种非易失性存储器的制造方法，包括：提供衬底，所述衬底包括第一区域和定位在所述第一区域的外围处的第二区域；在所述衬底的第一区域上形成多个堆叠结构；在所述衬底的第二区域上形成壁结构；在所述衬底上方形成导电层；在所述导电层上方形成底部抗反射涂层；回蚀刻所述底部抗反射涂层和所述导电层；以及图案化所述导电层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
