[发明专利]半导体器件的制备方法有效
| 申请号： | 201710104031.5 | 申请日： | 2017-02-24 |
| 公开（公告）号： | CN108511342B | 公开（公告）日： | 2021-05-14 |
| 发明（设计）人： | 郑二虎;方振 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L21/027 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 屈蘅;李时云 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明揭示了一种半导体器件的制备方法，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底上形成有多个结构，相邻的所述结构之间具有凹槽，所述结构包括栅极部分和位于所述栅极部分上的第一掩膜层；在所述凹槽中填充第一电介质层；至少去除所述第一掩膜层顶部中间区域的部分厚度，所述第一掩膜层顶部边缘区域高于所述第一掩膜层顶部中央区域；形成第二电介质层，所述第二电介质层覆盖所述第一掩膜层和第一电介质层；进行选择性刻蚀，去除部分所述第一电介质层和部分所述第二电介质层。本发明提供的方法可以增加接触孔的可靠性，从而提高器件的性能。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件的制备方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底上形成有多个结构，相邻的所述结构之间具有凹槽，所述结构包括栅极部分和位于所述栅极部分上的第一掩膜层；在所述凹槽中填充第一电介质层；至少去除所述第一掩膜层顶部中间区域的部分厚度，所述第一掩膜层顶部边缘区域高于所述第一掩膜层顶部中央区域；形成第二电介质层，所述第二电介质层覆盖所述第一掩膜层和第一电介质层；以及进行选择性刻蚀，去除部分所述第一电介质层和部分所述第二电介质层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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