[发明专利]包括MOS晶体管的集成电路及其制造方法

摘要

本申请涉及包括MOS晶体管的集成电路及其制造方法。一种包括FDSOI型MOS晶体管的集成电路包括形成在位于绝缘层上的半导体层的内部和顶部上的至少一个第一类型的逻辑MOS晶体管、至少一个第二类型的逻辑MOS晶体管以及至少一个该第一类型的模拟MOS晶体管，其中，这些逻辑晶体管的栅叠层依次包括栅极绝缘体层、第一氮化钛层、镧层和第二氮化钛层；并且该模拟晶体管的栅叠层包括除了该第一氮化钛层以外与这些逻辑晶体管的该栅叠层相同的层。一种制造这种器件的方法。

主权项

一种包括FDSOI型MOS晶体管的集成电路，所述MOS晶体管包括形成在位于绝缘层(3)上的半导体层(1)的内部和顶部上的至少一个第一类型(NMOSL)的逻辑MOS晶体管、至少一个第二类型(PMOSL)的逻辑MOS晶体管以及至少一个所述第一类型(NMOSA)的模拟MOS晶体管，其中：所述逻辑晶体管(NMOSL，PMOSL)的栅叠层(9)依次包括栅极绝缘体层(11，13)、第一氮化钛层(15)、镧层(17)和第二氮化钛层(19)；并且所述模拟晶体管(NMOSA)的栅叠层(23)包括除了所述第一氮化钛层(15)以外与所述逻辑晶体管(NMOSL，PMOSL)的所述栅叠层(9)相同的层(11，13，17，19)。