[发明专利]半导体封装件的制造方法及半导体封装件在审
| 申请号： | 201710110202.5 | 申请日： | 2017-02-27 |
| 公开（公告）号： | CN107170690A | 公开（公告）日： | 2017-09-15 |
| 发明（设计）人： | 矢田贵弘;吉光克司 | 申请（专利权）人： | 株式会社吉帝伟士 |
| 主分类号： | H01L21/50 | 分类号： | H01L21/50;H01L21/56;H01L21/60;H01L23/31 |
| 代理公司： | 北京弘权知识产权代理事务所(普通合伙)11363 | 代理人： | 郭放,许伟群 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种能够提高生产率并制造高质量的半导体封装件的半导体封装件的制造方法。该半导体封装件的制造方法包括如下步骤在支承基板的第一面一侧隔开间隔地配置多个半导体装置；形成与所述多个半导体装置的各个相连接的布线，并形成将所述多个半导体装置掩埋的第一绝缘树脂层；以及在所述多个半导体装置之间的区域中，从所述第一面一侧实施切削加工，形成贯通所述第一绝缘树脂层并使所述支承基板露出的第一槽部，以及在与所述第一面相反一侧的第二面上形成在与所述第一槽部相对应的位置具有开口部的阻挡剂图案，从所述第二面一侧对所述开口部实施蚀刻加工，而在所述第二面一侧形成第二槽部，由此针对各个所述半导体封装件进行单片化。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 封装 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体封装件的制造方法，包括如下步骤：在支承基板的第一面一侧隔开间隔地配置多个半导体装置；形成与所述多个半导体装置的各个相连接的布线，并形成将所述多个半导体装置掩埋的绝缘树脂层；以及在所述多个半导体装置之间的区域中，从所述第一面一侧实施切削加工，形成贯通所述绝缘树脂层并使所述支承基板露出的第一槽部，以及在与所述第一面相反一侧的第二面上形成在与所述第一槽部相对应的位置具有开口部的阻挡剂图案，并从所述第二面一侧对所述开口部实施蚀刻加工，在所述第二面一侧形成第二槽部，由此针对各个所述半导体封装件进行单片化。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于株式会社吉帝伟士，未经株式会社吉帝伟士许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201710110202.5/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：鳍式场效应晶体管的形成方法
- 下一篇：工艺液体供给方法及装置
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
