[发明专利]半导体封装件的制造方法及半导体封装件在审

专利信息
申请号: 201710110202.5 申请日: 2017-02-27
公开(公告)号: CN107170690A 公开(公告)日: 2017-09-15
发明(设计)人: 矢田贵弘;吉光克司 申请(专利权)人: 株式会社吉帝伟士
主分类号: H01L21/50 分类号: H01L21/50;H01L21/56;H01L21/60;H01L23/31
代理公司: 北京弘权知识产权代理事务所(普通合伙)11363 代理人: 郭放,许伟群
地址: 日本*** 国省代码: 暂无信息
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摘要: 发明提供一种能够提高生产率并制造高质量的半导体封装件的半导体封装件的制造方法。该半导体封装件的制造方法包括如下步骤在支承基板的第一面一侧隔开间隔地配置多个半导体装置;形成与所述多个半导体装置的各个相连接的布线,并形成将所述多个半导体装置掩埋的第一绝缘树脂层;以及在所述多个半导体装置之间的区域中,从所述第一面一侧实施切削加工,形成贯通所述第一绝缘树脂层并使所述支承基板露出的第一槽部,以及在与所述第一面相反一侧的第二面上形成在与所述第一槽部相对应的位置具有开口部的阻挡剂图案,从所述第二面一侧对所述开口部实施蚀刻加工,而在所述第二面一侧形成第二槽部,由此针对各个所述半导体封装件进行单片化。
搜索关键词: 半导体 封装 制造 方法
【主权项】:
一种半导体封装件的制造方法,包括如下步骤:在支承基板的第一面一侧隔开间隔地配置多个半导体装置;形成与所述多个半导体装置的各个相连接的布线,并形成将所述多个半导体装置掩埋的绝缘树脂层;以及在所述多个半导体装置之间的区域中,从所述第一面一侧实施切削加工,形成贯通所述绝缘树脂层并使所述支承基板露出的第一槽部,以及在与所述第一面相反一侧的第二面上形成在与所述第一槽部相对应的位置具有开口部的阻挡剂图案,并从所述第二面一侧对所述开口部实施蚀刻加工,在所述第二面一侧形成第二槽部,由此针对各个所述半导体封装件进行单片化。
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