[发明专利]射频LDMOS的PolySi薄栅结构及其制备方法有效
| 申请号： | 201710111756.7 | 申请日： | 2017-02-28 |
| 公开（公告）号： | CN107123672B | 公开（公告）日： | 2020-07-24 |
| 发明（设计）人： | 刘洪军;赵杨杨;王佃利;应贤炜 | 申请（专利权）人： | 中国电子科技集团公司第五十五研究所 |
| 主分类号： | H01L29/423 | 分类号： | H01L29/423;H01L21/28 |
| 代理公司： | 南京君陶专利商标代理有限公司 32215 | 代理人： | 沈根水 |
| 地址： | 210016 *** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： |
本发明是一种射频LDMOS的PolySi薄栅结构，对于亚微米栅的射频LDMOS器件，在栅氧化层表面形成自上而下的PolySi/SiO |
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| 搜索关键词： | 射频 ldmos polysi 结构 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
射频LDMOS的PolySi薄栅结构，其特征在于，对于亚微米栅的射频LDMOS器件，在栅氧化层表面形成自上而下的PolySi/SiO2/PolySi三明治栅结构，经过栅自对准掺杂后，去除三明治栅结构上面PolySi/SiO2两层，形成PolySi薄栅结构。
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