[发明专利]一种TFT像素结构、阵列基板及其制作方法、显示装置

摘要

本申请涉及显示技术领域，尤其涉及一种TFT像素结构、阵列基板及其制作方法、显示装置，用以改善现有技术中由于PPI的提升而导致TFT像素结构中存储电容的电容值减小的问题。在本申请方案中，可以形成高PPI的阵列基板，而且，由于该阵列基板中的栅极位于栅线之上，使得栅极可以不在自身所在存储电容区域设置过孔，而是通过设置在存储电容区域以外的过孔实现栅极与掺杂后的半导体的接触连接，进而，保证栅极与金属电极层形成的存储电容的面积不致于太小，进而，使得存储电容的电容值不会减小过多，尽可能改善对像素驱动TFT栅极电压的保持所产生的不良影响。

主权项

1.一种TFT像素结构，其特征在于，包括：基底；位于所述基底一表面的图案化的栅线；位于所述栅线之上的第一绝缘层；位于所述第一绝缘层之上图案化的栅极，所述栅极通过第一过孔与掺杂后的半导体层接触连接，其中，所述第一过孔位于所述栅极以外的区域；位于所述栅极之上的电容介质层；位于所述电容介质层之上的图案化的金属电极层，所述金属电极层与所述栅极的交叠区域形成存储电容。