[发明专利]半导体存储装置的制作方法有效
| 申请号： | 201710116637.0 | 申请日： | 2017-03-01 |
| 公开（公告）号： | CN108538788B | 公开（公告）日： | 2020-10-02 |
| 发明（设计）人： | 陈昱磬;邹世芳;游奎轩;庄慧伶 | 申请（专利权）人： | 联华电子股份有限公司;福建省晋华集成电路有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/8242 | 分类号： | H01L21/8242 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 陈小雯 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明公开一种半导体存储装置的制作方法，包括下列步骤：首先，提供半导体基底，半导体基底上定义有存储单元区与周围区。在存储单元区形成多个位线结构。在该周围区形成栅极结构。形成一间隙子层覆盖半导体基底、栅极结构与位线结构。间隙子层部分位于存储单元区且部分位于周围区。对间隙子层进行一第一蚀刻制作工艺，用以将位于存储单元区的间隙子层部分移除。至少部分的间隙子层于第一蚀刻制作工艺之后残留于存储单元区中。在第一蚀刻制作工艺之后，进行一第二蚀刻制作工艺，用以将残留于存储单元区中的间隙子层移除。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 存储 装置 制作方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体存储装置的制作方法，包括：提供一半导体基底，该半导体基底上定义有一存储单元区以及一周围区；在该存储单元区形成多个位线结构；在该周围区形成至少一栅极结构；形成一间隙子层，该间隙子层覆盖该半导体基底、该栅极结构以及该多个位线结构，其中该间隙子层部分位于该存储单元区且部分位于该周围区；对该间隙子层进行一第一蚀刻制作工艺，用以将位于该存储单元区的该间隙子层部分移除，其中至少部分的该间隙子层于该第一蚀刻制作工艺之后残留于该存储单元区中；以及在该第一蚀刻制作工艺之后，进行一第二蚀刻制作工艺，用以将残留于该存储单元区中的该间隙子层移除。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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